Um módulo de memória DDR4-2666 1G x 64 bits (8GB) CL19 SDRAM (DRAM síncrona), 1Rx16, com base em quatro componentes FBGA 1G x 16bits. O SPD é programado para latência padrão JEDEC DDR4-2666 tempo de 19-19-19 a 1.2V. Cada DIMM de 288 pinos utiliza contatos de ouro.
- Marca: Kingston
- Modelo: KVR26N19S6/8
- Fonte de alimentação: VDD = 1,2 V típica
- VDDQ = 1,2 V típico
- VPP = 2,5 V típico
- VDDSPD = 2,2 V a 3,6 V
- Terminação nominal e dinâmica na matriz (ODT) para dados, strobe e sinais de máscara
- Auto-atualização de baixa potência (LPASR)
- Inversão de barramento de dados (DBI) para barramento de dados
- Geração e calibração de VREFDQ na matriz
- Single-rank
- EEPROM de detecção de presença serial I2 on-board (SPD)
- 8 bancos internos; 2 grupos de 4 bancos cada
- Corte de burst fixo (BC) de 4 e comprimento de burst (BL) de 8 através do conjunto de registro de modo (MRS)
- Selecionável BC4 ou BL8 on-the-fly (OTF)
- Topologia fly-by
- Comando de controle terminado e barramento de endereço
- PCB: Altura 1,23 ”(31,25 mm)
- Compatível com RoHS e livre de halogênio
- CL (IDD): 19 ciclos
- Tempo de ciclo de linha (tRCmin): 45,75ns (min.)
- Tempo de comando de refresh (tRFCmin): 350ns (min.)
- Tempo de linha ativa (tRASmin): 32ns (min.)
- Classificação UL: 94 V-0
- Temperatura de operação: 0ºC a +85ºC
- Temperatura de armazenamento: -55ºC a +100ºC.